XPH3R206NC,L1XHQ

Número de pieza del fabricante:	XPH3R206NC,L1XHQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 60V 70A 8SOP
Hojas de datos:	XPH3R206NC,L1XHQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	70A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4180 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 9763

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

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