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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK20V60W,LVQ

TK20V60W,LVQ

Número de pieza del fabricante: TK20V60W,LVQ
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Hojas de datos: TK20V60W,LVQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieDTMOSIV
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C20A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs170mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id3.7V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1680 pF @ 300 V
Característica FETSuper Junction
Disipación de energía (máx.)156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Estuche4-VSFN Exposed Pad
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

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