R6018ANJTL

Número de pieza del fabricante:	R6018ANJTL
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Hojas de datos:	R6018ANJTL Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	270mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2050 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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