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Número de pieza del fabricante: | NVD5802NT4G |
Fabricante: | Rochester Electronics |
Parte de la descripción: | 16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE |
Hojas de datos: | NVD5802NT4G Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | - |
Paquete | Bulk |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16.4A (Ta), 101A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 5V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5.3 pF @ 12 V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
Paquete / Estuche | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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