TK62N60W,S1VF

Número de pieza del fabricante:	TK62N60W,S1VF
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Hojas de datos:	TK62N60W,S1VF Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	DTMOSIV
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	61.8A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	40mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3.7V @ 3.1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 300 V
Característica FET	Super Junction
Disipación de energía (máx.)	400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Estuche	TO-247-3

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	TK62N60W,S1VF Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62N60X,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62J60W,S1VQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK62Z60X,S1F Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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