RM30P30D3

Número de pieza del fabricante:	RM30P30D3
Fabricante:	Rectron USA
Parte de la descripción:	MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8DFN
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	10mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2150 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	40W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-DFN-EP (3x3)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

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