TK1R4F04PB,LXGQ

Número de pieza del fabricante:	TK1R4F04PB,LXGQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM
Hojas de datos:	TK1R4F04PB,LXGQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSIX-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	160A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	6V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 80A, 6V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SM(W)
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2000

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Modelos populares

	TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK1R4S04PB,LXHQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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