IPD70P04P4L08ATMA2

Número de pieza del fabricante:	IPD70P04P4L08ATMA2
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS®-P2
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	70A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.2V @ 120µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5430 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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