SIS407DN-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SIS407DN-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Hojas de datos:	SIS407DN-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	93.8 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2760 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	3.6W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche	PowerPAK® 1212-8

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 23879

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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