STD80N6F6

Número de pieza del fabricante:	STD80N6F6
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Hojas de datos:	STD80N6F6 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7480 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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