NVTFS6H860NWFTAG

Número de pieza del fabricante:	NVTFS6H860NWFTAG
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
Hojas de datos:	NVTFS6H860NWFTAG Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	21.1mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 30µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 40 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerWDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 4500

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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Cálculo de fletes

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