STB4NK60Z-1

Número de pieza del fabricante:	STB4NK60Z-1
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Hojas de datos:	STB4NK60Z-1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	SuperMESH™
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4.5V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	I2PAK
Paquete / Estuche	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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