BSZ105N04NSGATMA1

Número de pieza del fabricante:	BSZ105N04NSGATMA1
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	OPTLMOS POWER-MOSFET
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS™
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 14µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Estuche	8-PowerTDFN

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