SI5475DC-T1-E3

Número de pieza del fabricante:	SI5475DC-T1-E3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
Hojas de datos:	SI5475DC-T1-E3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.5A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	31mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	450mV @ 1mA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	1206-8 ChipFET™
Paquete / Estuche	8-SMD, Flat Lead

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