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Número de pieza del fabricante: | SI2324DS-T1-BE3 |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | TrenchFET® |
Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.6A (Ta), 2.3A (Tc) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 234mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquete / Estuche | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Estado del inventario: 3000
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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