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Número de pieza del fabricante: | SI5463EDC-T1-E3 |
Fabricante: | Vishay / Siliconix |
Parte de la descripción: | MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
Hojas de datos: | SI5463EDC-T1-E3 Hojas de datos |
Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Condición de stock: | En stock |
Nave de: | Hong Kong |
Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Escribe | Descripción |
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Serie | - |
Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V |
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.8V, 4.5V |
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Máx.) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
Vgs (máx.) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
Paquete / Estuche | 8-SMD, Flat Lead |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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