CSD23202W10T

Número de pieza del fabricante:	CSD23202W10T
Fabricante:	Texas Instruments
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Hojas de datos:	CSD23202W10T Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	NexFET™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	3.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	-6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	512 pF @ 6 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	4-DSBGA (1x1)
Paquete / Estuche	4-UFBGA, DSBGA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 18785

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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