FDMC4D9P20X8

Número de pieza del fabricante:	FDMC4D9P20X8
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN
Hojas de datos:	FDMC4D9P20X8 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerTrench®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Ta), 75A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	109 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10550 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.4W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PQFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerWDFN

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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