FDZ291P

Número de pieza del fabricante:	FDZ291P
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Hojas de datos:	FDZ291P Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerTrench®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.6A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1010 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	9-BGA (1.5x1.6)
Paquete / Estuche	9-VFBGA

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