IPI90N06S4L04AKSA2

Número de pieza del fabricante:	IPI90N06S4L04AKSA2
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3-1
Hojas de datos:	IPI90N06S4L04AKSA2 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS™
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.2V @ 90µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	13 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO262-3-1
Paquete / Estuche	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 9000

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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