PHD18NQ10T,118

Número de pieza del fabricante:	PHD18NQ10T,118
Fabricante:	NXP Semiconductors
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Hojas de datos:	PHD18NQ10T,118 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	18A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	90mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	633 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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