ZXMN6A09KQTC

Número de pieza del fabricante:	ZXMN6A09KQTC
Fabricante:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Hojas de datos:	ZXMN6A09KQTC Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.8A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	40mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1426 pF @ 30 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	10.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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