RM4P20ES6

Número de pieza del fabricante:	RM4P20ES6
Fabricante:	Rectron USA
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta), 4.1A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 4 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-6
Paquete / Estuche	SOT-23-6

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Modelos populares

	RM4P20ES6 Rectron USA
	RM4P30S6 Rectron USA

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