RUU002N05T106

Número de pieza del fabricante:	RUU002N05T106
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Hojas de datos:	RUU002N05T106 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	50 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	25 pF @ 10 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	UMT3
Paquete / Estuche	SC-70, SOT-323

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2900

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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