GA05JT12-247

Número de pieza del fabricante:	GA05JT12-247
Fabricante:	GeneSiC Semiconductor
Parte de la descripción:	TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	-
Tecnología	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	280mOhm @ 5A
Vgs (th) (Máx.) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	106W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247AB
Paquete / Estuche	TO-247-3

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