FDMC86261P

Número de pieza del fabricante:	FDMC86261P
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Hojas de datos:	FDMC86261P Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerTrench®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.7A (Ta), 9A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	6V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	160mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1360 pF @ 75 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-MLP (3.3x3.3)
Paquete / Estuche	8-PowerWDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2894

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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