TPH2R104PL,LQ

Número de pieza del fabricante:	TPH2R104PL,LQ
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Hojas de datos:	TPH2R104PL,LQ Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	U-MOSIX-H
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.4V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6230 pF @ 20 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	830mW (Ta), 116W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Estuche	8-PowerVDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 5858

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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