IPI110N20N3GAKSA1

Número de pieza del fabricante:	IPI110N20N3GAKSA1
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Hojas de datos:	IPI110N20N3GAKSA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS™
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	88A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 270µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7.1 pF @ 100 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO262-3
Paquete / Estuche	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 11795

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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