BSC082N10LSGATMA1

Número de pieza del fabricante:	BSC082N10LSGATMA1
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Hojas de datos:	BSC082N10LSGATMA1 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	OptiMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13.8A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.4V @ 110µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7400 pF @ 50 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete / Estuche	8-PowerTDFN

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 9236

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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