SI6473DQ-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SI6473DQ-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Hojas de datos:	SI6473DQ-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.2A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	1.08W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSSOP
Paquete / Estuche	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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