C2M0280120D

Número de pieza del fabricante:	C2M0280120D
Fabricante:	Wolfspeed - a Cree company
Parte de la descripción:	SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Hojas de datos:	C2M0280120D Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Z-FET™
Paquete	Tube
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	20V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	370mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.8V @ 1.25mA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20.4 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	259 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Estuche	TO-247-3

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