FQD12P10TM

Número de pieza del fabricante:	FQD12P10TM
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Hojas de datos:	FQD12P10TM Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	QFET®
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.4A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	290mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 20553

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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