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IR (Infineon Technologies) / IAUZ40N10S5N130ATMA1

IAUZ40N10S5N130ATMA1

Número de pieza del fabricante: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Fabricante: IR (Infineon Technologies)
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON-33
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
PaqueteTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C40A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)6V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id3.8V @ 27µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds1525 pF @ 50 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorPG-TSDSON-8-33
Paquete / Estuche8-PowerTDFN
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 4112

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

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