SI1499DH-T1-E3

Número de pieza del fabricante:	SI1499DH-T1-E3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Hojas de datos:	SI1499DH-T1-E3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	8 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.6A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.2V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	78mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 4 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Estuche	6-TSSOP, SC-88, SOT-363

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 975

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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