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Conectores, interconexiones
STMicroelectronics / STH400N4F6-6
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STH400N4F6-6
| Número de pieza del fabricante: | STH400N4F6-6 |
| Fabricante: | STMicroelectronics |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 |
| Hojas de datos: | STH400N4F6-6 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 180A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 404 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20500 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | H2PAK-6 |
| Paquete / Estuche | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
OPCIONES DE COMPRA
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Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
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El precio no está disponible, por favor RFQ |
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