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Renesas Electronics America / RJK0603DPN-E0#T2
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RJK0603DPN-E0#T2
| Número de pieza del fabricante: | RJK0603DPN-E0#T2 |
| Fabricante: | Renesas Electronics America |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB |
| Hojas de datos: | RJK0603DPN-E0#T2 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
- Renesas Electronics America # C1 # está disponible en chipnets.com. Solo vendemos piezas nuevas y originales y ofrecemos 1 año de garantía. Si desea saber más sobre los productos o aplicar un precio mejor, contáctenos, haga clic en el chat en línea o envíenos una cotización.
Todos los componentes de Eelctronics se empaquetarán de forma muy segura gracias a la protección antiestática ESD.
Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4150 pF @ 10 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / Estuche | TO-220-3 |
OPCIONES DE COMPRA
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Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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