EPC2029

Número de pieza del fabricante:	EPC2029
Fabricante:	EPC
Parte de la descripción:	GANFET N-CH 80V 48A DIE
Hojas de datos:	EPC2029 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	eGaN®
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	48A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 12mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1410 pF @ 40 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Estuche	Die

OPCIONES DE COMPRA

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Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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