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Rochester Electronics / NP80N04NHE-S18-AY

NP80N04NHE-S18-AY

Número de pieza del fabricante: NP80N04NHE-S18-AY
Fabricante: Rochester Electronics
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Hojas de datos: NP80N04NHE-S18-AY Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteTube
Estado de la piezaObsolete
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C80A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)-
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds3.3 pF @ 25 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)1.8W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedorTO-262
Paquete / EstucheTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 2250

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

Cálculo de fletes

US $ 40 por FedEx.

Llegue en 3-5 días

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

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