GeneSiC Semiconductor / GA100JT17-227
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GA100JT17-227
| Número de pieza del fabricante: | GA100JT17-227 |
| Fabricante: | GeneSiC Semiconductor |
| Parte de la descripción: | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 |
| Hojas de datos: | GA100JT17-227 Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | - |
| Paquete | Tube |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1700 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 160A (Tc) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | - |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 100A |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (máx.) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 800 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 535W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Paquete / Estuche | SOT-227-4, miniBLOC |
Estado del inventario: Envío el mismo día
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
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Llegue en 3-5 días
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