TT8U2TR

Número de pieza del fabricante:	TT8U2TR
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Hojas de datos:	TT8U2TR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.4A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	1.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	850 pF @ 10 V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de energía (máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-TSST
Paquete / Estuche	8-SMD, Flat Lead

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 850

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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