SIAA00DJ-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SIAA00DJ-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK
Hojas de datos:	SIAA00DJ-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchFET® Gen IV
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20.1A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+16V, -12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1090 pF @ 12.5 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche	PowerPAK® SC-70-6

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