SI5857DU-T1-GE3

Número de pieza del fabricante:	SI5857DU-T1-GE3
Fabricante:	Vishay / Siliconix
Parte de la descripción:	MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Hojas de datos:	SI5857DU-T1-GE3 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	LITTLE FOOT®
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	2.5V, 4.5V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 10 V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de energía (máx.)	2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® ChipFet Dual
Paquete / Estuche	PowerPAK® ChipFET™ Dual

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