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Renesas Electronics America / NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Número de pieza del fabricante: NP109N04PUK-E1-AY
Fabricante: Renesas Electronics America
Parte de la descripción: MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
Serie-
PaqueteTape & Reel (TR)
Estado de la piezaActive
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)40 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C110A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs1.75mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs189 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds10800 pF @ 25 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)1.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorTO-263 (D²Pak)
Paquete / EstucheTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

El precio no está disponible, por favor RFQ

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado

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