STH2N120K5-2AG

Número de pieza del fabricante:	STH2N120K5-2AG
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paquete	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	124 pF @ 100 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	H2Pak-2
Paquete / Estuche	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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