Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / SSM6K361NU,LF
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SSM6K361NU,LF
| Número de pieza del fabricante: | SSM6K361NU,LF |
| Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte de la descripción: | MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB |
| Hojas de datos: | SSM6K361NU,LF Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Paquete | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 15 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-UDFNB (2x2) |
| Paquete / Estuche | 6-WDFN Exposed Pad |
Estado del inventario: 21011
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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US $ 40 por FedEx.
Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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