SCTH90N65G2V-7

Número de pieza del fabricante:	SCTH90N65G2V-7
Fabricante:	STMicroelectronics
Parte de la descripción:	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	-
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	18V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 400 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	H2PAK-7
Paquete / Estuche	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 873

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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