Rochester Electronics / FDFME2P823ZT
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FDFME2P823ZT
| Número de pieza del fabricante: | FDFME2P823ZT |
| Fabricante: | Rochester Electronics |
| Parte de la descripción: | 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET |
| Hojas de datos: | FDFME2P823ZT Hojas de datos |
| Estado libre de plomo / Estado RoHS: | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Condición de stock: | En stock |
| Nave de: | Hong Kong |
| Forma de envío: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- OBSERVACIÓN
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Especificación
| Escribe | Descripción |
|---|---|
| Serie | PowerTrench® |
| Paquete | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) | 1.8V, 4.5V |
| Rds activado (máx.) @ Id, Vgs | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Máx.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de energía (máx.) | 1.4W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Paquete / Estuche | 6-UFDFN Exposed Pad |
Estado del inventario: 40000
Mínimo: 1
| Cantidad | Precio unitario | Ext. Precio |
|---|---|---|
El precio no está disponible, por favor RFQ |
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Cálculo de fletes
US $ 40 por FedEx.
Llegue en 3-5 días
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Envío gratuito en los primeros 0,5 kg para pedidos superiores a 150 $, el sobrepeso se cobrará por separado
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