IRF730

Número de pieza del fabricante:	IRF730
Fabricante:	Rochester Electronics
Parte de la descripción:	N-CHANNEL, MOSFET
Hojas de datos:	IRF730 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	PowerMESH™ II
Paquete	Bulk
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.5A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	530 pF @ 25 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Estuche	TO-220-3

OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: 24825

Mínimo: 1

Cantidad	Precio unitario	Ext. Precio
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