NXV90EPR

Número de pieza del fabricante:	NXV90EPR
Fabricante:	Nexperia
Parte de la descripción:	NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Hojas de datos:	NXV90EPR Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS:	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:	En stock
Nave de:	Hong Kong
Forma de envío:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Especificación

Escribe	Descripción
Serie	TrenchMOS™
Paquete	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.5A (Ta)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)	4.5V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs	120mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	252 pF @ 15 V
Característica FET	-
Disipación de energía (máx.)	340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-236AB
Paquete / Estuche	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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