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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FQD7P06TM_F080

FQD7P06TM_F080

Número de pieza del fabricante: FQD7P06TM_F080
Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte de la descripción: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Hojas de datos: FQD7P06TM_F080 Hojas de datos
Estado libre de plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock: En stock
Nave de: Hong Kong
Forma de envío: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
OBSERVACIÓN
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package

Especificación
Escribe Descripción
SerieQFET®
PaqueteTape & Reel (TR)
Estado de la piezaObsolete
Tipo de FETP-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C5.4A (Tc)
Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido)10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Máx.) @ Id4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds295 pF @ 25 V
Característica FET-
Disipación de energía (máx.)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedorD-Pak
Paquete / EstucheTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPCIONES DE COMPRA

Estado del inventario: Envío el mismo día

Mínimo: 1

Cantidad Precio unitario Ext. Precio

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